研究課題
基盤研究(B)
次世代エレクトロニクスの要素技術として、遷移金属酸化物の電界物性制御が盛んに研究されている。本研究では、イオン液体を用いた電気二重層トランジスタ構造において発現する酸化還元反応に着目し、そのチャネルとなる酸化物薄膜の作製と特性の評価に取り組んだ。反応性スパッタリング法により、様々なルチル型酸化物の薄膜を合成することに成功した。また、固体電解質薄膜をゲート絶縁体に用いた三端子素子の作製プロセスを確立した。
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電気学会電子材料研究会資料
巻: - ページ: 13-16
