| 研究課題/領域番号 |
15H03675
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
物性Ⅰ
|
|---|
| 研究機関 | 京都大学 |
|---|
研究代表者 |
有賀 哲也 京都大学, 理学研究科, 教授 (70184299)
|
|---|
| 研究分担者 |
八田 振一郎 京都大学, 理学研究科, 助教 (70420396)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
|
| 配分額 *注記 |
16,900千円 (直接経費: 13,000千円、間接経費: 3,900千円)
2017年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2016年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円)
2015年度: 7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円)
|
|---|
| キーワード | 表面電気伝導 / トポロジカル絶縁体 / 表面相転移 / 表面・界面物性 / 単層物質 / 低次元物質 / ナノ物質 / 超薄膜 / スピン物性 / ラシュバ効果 |
|---|
| 研究成果の概要 |
層状トポロジカル絶縁体の従来の成膜方法として、チェンバー汚染を伴わない新手法を考案し、結晶性のよいBi2Te3を単層成長させることに成功した。得られたBi2Te3膜の電子状態、電気伝導度測定を行い、両者の間の対応関係を解明した。
Si表面上の(4x1)-In単原子層について、4x1相の相転移にともなう電気伝導度変化の観測に成功し、相転移の機構を明らかにした。rect-In相の電気伝導度の温度依存性を測定し、金属フタロシアニン分子を吸着させることにより伝導度の温度勾配が変化することを見出した。また、実在が疑問視されていたhex相の合成に成功し、これが単原子層金属であることを明らかにした。
|
