| 研究課題/領域番号 |
15H03677
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
水野 清義 九州大学, 総合理工学研究院, 教授 (60229705)
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| 研究分担者 |
柚原 淳司 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (10273294)
中川 剛志 九州大学, 総合理工学研究院, 准教授 (80353431)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
17,550千円 (直接経費: 13,500千円、間接経費: 4,050千円)
2017年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2016年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2015年度: 12,740千円 (直接経費: 9,800千円、間接経費: 2,940千円)
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| キーワード | 表面構造解析 / 低速電子回折 / 電界放出電子線 / 電界誘起ガスエッチング / ２次元超薄膜 / 電界電子放出 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、複雑な表面構造の解析に対応できる、電界放出電子線源を用いた低速電子回折装置の開発を行った。このため、タングステン針の先端を電界誘起ガスエッチング法により先鋭化し、針先端の微小領域（数原子）から低い引出電圧で広がり角の小さな電子ビームを電界放出させ、この電子線を磁場レンズで収束させてマイクロチャンネルプレート付の低速電子回折装置の電子源とした。微小領域から電界放出した電子線はコヒーレンスが高く、従来の熱電子線を用いた回折パターンと比較して、回折スポット強度の半値幅を40%程度に狭くすることができた。これにより、これまで困難であった複雑な表面構造の解析が可能になると期待される。
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