| 研究課題/領域番号 |
15H03893
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
機械材料・材料力学
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| 研究機関 | 神戸大学 |
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研究代表者 |
磯野 吉正 神戸大学, 工学研究科, 教授 (20257819)
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| 研究分担者 |
菅野 公二 神戸大学, 工学研究科, 准教授 (20372568)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
17,030千円 (直接経費: 13,100千円、間接経費: 3,930千円)
2017年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2016年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2015年度: 10,790千円 (直接経費: 8,300千円、間接経費: 2,490千円)
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| キーワード | 実験ナノメカニクス / マルチフィジックス / 半導体ナノ細線 / シリコンカーバイド / ナノ材料 |
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| 研究成果の概要 |
3C-SiCNWは、過酷環境下で使用されるMEMS用ピエゾ抵抗素子としての利用が期待されている。本研究では「ナノ細線集積MEMS歪み制御デバイス」を新開発し、同デバイスを利用してSiO2で包まれた3C-SiCNW（C/S-SiCNWという)の機械的特性およびピエゾ抵抗を明らかにした。SiO2シェルを含まない3C-SiCNWとC/S-SiCNWの引張強さは、平均でそれぞれ22.4、7.3GPaを示した。また、3C-SiCNWのゲージ係数は0.022εで-17.6であった。このように、3C-SiCNWはn型半導体の振る舞いを示し、ピエゾ抵抗素子材料として有用であると示唆された。
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