| 研究課題/領域番号 |
15H03968
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
秋山 英文 東京大学, 物性研究所, 教授 (40251491)
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| 研究分担者 |
挾間 優治 東京大学, 物性研究所, 助教 (80759150)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
16,640千円 (直接経費: 12,800千円、間接経費: 3,840千円)
2017年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2016年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
2015年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円)
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| キーワード | 半導体レーザー / 利得スイッチ / 超放射 / 光物性 / 半導体物性 / 非線形性 / 非線型性 |
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| 研究成果の概要 |
高品質のGaAs多重量子井戸およびダブルヘテロ型の半導体レーザー試料を作製し、モード同期固体レーザーおよび自家製モード同期ファイバーレーザー・第２高調波などを用いて、インパルス強光励起した。出力短パルス光のダイナミクスを、2ps分解能ストリークカメラ、高速フォトダイオード、オートコリレータなどで評価計測した。強励起条件下での発生パルスの短波長成分をフィルターで切り出すとフェムト秒領域のパルス幅が得られること、ダブルヘテロ構造に対する量子井戸構造の優位性は認められずむしろ飽和利得の大きさがより重要であること、半導体2バンドレート方程式レーザー理論で定式化できることを明らかにした。
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