| 研究課題/領域番号 |
15H03975
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
志村 考功 大阪大学, 工学研究科, 准教授 (90252600)
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| 連携研究者 |
渡部 平司 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90379115)
細井 卓治 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (90452466)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
16,640千円 (直接経費: 12,800千円、間接経費: 3,840千円)
2017年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2016年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
2015年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
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| キーワード | 電気・電子材料 / 作成・評価技術 / エピタキシャル成長 / 半導体 / ゲルマニウム / シリコンフォトニクス / 電子・電気材料 / 結晶工学 / 電子デバイス / 結晶成長 |
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| 研究成果の概要 |
急速加熱処理による液相エピタキシャル成長法により単結晶GeSn細線を非晶質基板上に形成し、それを用いた電界効果トランジスタとフォトダイオードを試作し、その特性を評価した。トランジスタ特性より求めた正孔の電界効果移動度はピーク値で423 cm2/Vsに達した。また、フォトダイオードについては光通信で用いられている波長1.55 μmの光に対して良好な光応答を確認することができた。
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