| 研究課題/領域番号 |
15H03988
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
PHAM NAM・HAI 東京工業大学, 工学院, 准教授 (50571717)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
16,900千円 (直接経費: 13,000千円、間接経費: 3,900千円)
2017年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2016年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円)
2015年度: 9,490千円 (直接経費: 7,300千円、間接経費: 2,190千円)
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| キーワード | 強磁性半導体 / スピンダイオード / スピントランジスタ / スピンバルブ効果 / スピンデバイス / ナノ構造 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、半導体スピンデバイスの作製に必要なp型強磁性半導体(Ga,Fe)Sbおよびn型強磁性半導体(In,Fe)Sbの開発に成功した。また、これらの強磁性半導体において、室温強磁性を実現した。次に、鉄系強磁性半導体からなるスピンダイオード構造やスピン電界効果トランジスタ構造を作製し、そのスピン依存伝導特性の評価を行った。n-(In,Fe)As/p-InAsの江崎ダイオード構造においては、トンネル分光法を使って(In,Fe)Asの自発バンドスピン分裂を観測した。また、(In,Fe)As量子井戸のチャンネルを有するスピン電界効果トランジスタ構造を作製し、波動関数制御による強磁性変調を行った。
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