| 研究課題/領域番号 |
15H04113
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属物性・材料
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
須藤 祐司 東北大学, 工学研究科, 准教授 (80375196)
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| 連携研究者 |
小池 淳一 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (10261588)
安藤 大輔 東北大学, 大学院工学研究科, 助教 (50615820)
小林 啓介 (齊藤 雄太) 高知工科大学, 総合研究所, 客員教授 (50372149)
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| 研究協力者 |
SONG Yun-Heub
進藤 怜史
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
16,250千円 (直接経費: 12,500千円、間接経費: 3,750千円)
2017年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2016年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2015年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
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| キーワード | 相変化メモリ / 不揮発性メモリ / アモルファス / 結晶 / 接触抵抗 / 表面・界面物性 / 電子・電気材料 / 金属物性 / 電極材料 / 結晶化 |
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| 研究成果の概要 |
相変化メモリの大容量化には相変化材料（PCM）/電極構造の微細化がカギとなるが、微細メモリセル抵抗はPCM/電極間の接触抵抗に支配される。本研究では、PCMの接触抵抗率を評価すると共に、次世代メモリの創成を試みた。その結果、アモルファスCu2GeTe3/電極はショットキー伝導を示し界面伝導に支配される事が分かった。また、耐熱性に優れる新PCMとしてCr2Ge2Te6を見出した。Cr2Ge2Te6は通常とは逆に、結晶抵抗率がアモルファス抵抗率よりも高い。更に、その抵抗率差は一桁であるが、接触抵抗率差は二桁を示すためメモリへの適用が可能であり、また、動作エネルギーを大幅に低減できる事が分かった。
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