| 研究課題/領域番号 |
15H04122
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
松下 伸広 東京工業大学, 物質理工学院, 准教授 (90229469)
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| 研究分担者 |
我田 元 明治大学, 理工学部, 専任講師 (40633722)
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| 研究協力者 |
ホン ジョンス
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
16,250千円 (直接経費: 12,500千円、間接経費: 3,750千円)
2017年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2016年度: 6,110千円 (直接経費: 4,700千円、間接経費: 1,410千円)
2015年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
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| キーワード | 酸化亜鉛薄膜 / 透明導電性 / 溶液作製 / ZnO膜 / 紫外線照射 / 溶液作製酸化亜鉛膜 / 導電領域パターニング / 導電性領域パターニング / 断面方向導電性評価 / ダイオード / 酸化亜鉛膜 / 導電性領域ﾊﾟﾀｰﾆﾝｸﾞ / パターニング |
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| 研究成果の概要 |
溶液プロセスによって酸化亜鉛薄膜を作製し、紫外線(UV)照射で透明導電膜とすることに成功した。
UV-Aと波長380 nmのUVを照射したところ照射時間わずか 1 時間で導電性が発現した。UVレーザを用いた回路描画では照射領域とそれ以外で3桁程度の抵抗率の違いがあることを確認した。pn接合ダイオードの形成ではp-Si基板上とp-GaN基板上でそれぞれ整流性が認められた。Mnイオンをドープしたところ最大磁化の1.68x10-2 e.m.u/gを得た。
本研究は、100℃以下の低環境負荷の溶液プロセスにより、透明性・導電性に加えて磁性を持つ薄膜を作製可能とした優れた成果といえる。
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