研究課題/領域番号 |
15H04123
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
無機材料・物性
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研究機関 | 静岡大学 |
研究代表者 |
脇谷 尚樹 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (40251623)
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研究分担者 |
鈴木 久男 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (70154573)
坂元 尚紀 静岡大学, 電子工学研究所, 准教授 (80451996)
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連携研究者 |
篠崎 和夫 東京工業大学, 理工学研究科, 教授 (00196388)
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研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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配分額 *注記 |
16,770千円 (直接経費: 12,900千円、間接経費: 3,870千円)
2017年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2016年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2015年度: 10,530千円 (直接経費: 8,100千円、間接経費: 2,430千円)
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キーワード | ダイナミックオーロラPLD / スピノーダル分解 / 自発的超格子構造生成 / エピタキシャル成長 / 熱電特性 / 酸化物 / 薄膜 / 自発的超格子生成 / 酸化物薄膜 / セラミックス / ナノ材料 / エピタキシャル / 自己組織化 / 熱電 / 磁場中PLD |
研究成果の概要 |
ダイナミックオーロラPLD法を用いて、磁場中でチタン酸ストロンチウム単結晶基板上に作製したニオブまたはランタンをドープしたチタン酸ストロンチウム薄膜とコバルト酸ランタンストロンチウム薄膜のエピタキシャル成長薄膜のいずれについても、自発的な超格子構造の生成が生じた。これらの薄膜に共通する事項として、熱電性能指数は超格子構造の周期が小さくなるにつれて高くなることが見いだされた。このことは、周期が短くなるにつれてキャリアがドープされている層の膜厚が薄くなり、2次元電子ガス構造に近づいていくことを示唆し、人工超格子薄膜で高い熱電性能指数が報告されている構造と類似した構造が自発的に生成することを示す。
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