| 研究課題/領域番号 |
15H04127
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
吉武 剛 九州大学, 総合理工学研究院, 准教授 (40284541)
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| 研究分担者 |
出口 博之 九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授 (30192206)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
17,030千円 (直接経費: 13,100千円、間接経費: 3,930千円)
2017年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2016年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2015年度: 13,130千円 (直接経費: 10,100千円、間接経費: 3,030千円)
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| キーワード | カーボン薄膜 / ナノダイヤモンド / 物理気相成長法 / 光電変換 / 同軸型アークプラズマ堆積法 / 半導体 / pn接合 / 少数キャリアのライフタイム / 超ナノ微結晶ダイヤモンド / UNCD / ナノカーボン / 同軸型アークプラズマガン / アモルファスカーボン / カーボン材料 / ナノ材料 / 薄膜 |
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| 研究成果の概要 |
超ナノ微結晶ダイヤモンド膜による金属-半導体-金属（MSM）構造，Siとのヘテロpn接合，およびホモpn接合素子を作製した．ホウ素ドープUNCD膜のMSM構造は銅電極によるコンタクトが最も高い接触抵抗を示し，暗電流の抑制により，光導電型で受光特性の評価が可能であることを実証した．また，電流スペクトルにおける紫外光と可視光域の光応答をそれぞれがUNCD結晶粒と結晶粒界に起因する可能性が高いことがわかった．p型膜と金属コンタクト間におけるショットキー障壁高さを，紫外光電子分光法とX線光電子分光法により見積もり，ショットキーとオーミックコンタクトの形成が自在に作製可能であることを示した．
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