| 研究課題/領域番号 |
15H04131
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
複合材料・表界面工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
佐藤 義倫 東北大学, 環境科学研究科, 准教授 (30374995)
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| 研究分担者 |
田路 和幸 東北大学, 環境科学研究科, 教授 (10175474)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
16,510千円 (直接経費: 12,700千円、間接経費: 3,810千円)
2017年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2016年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 8,710千円 (直接経費: 6,700千円、間接経費: 2,010千円)
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| キーワード | 垂直配向カーボンナノチューブ / 高結晶 / 脱フッ素 / 表面制御改質 / 電気化学 |
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| 研究成果の概要 |
窒素ドープ垂直配向多層カーボンナノチューブ（Nx-VAMWCNTs）と少量のフッ素が修飾されている脱フッ素化VAMWCNTs（deFx-VAMWCNTs）をフッ素化VAMWCNTsから調製した（xは処理温度）。N500-VAMWCNTsの比静電容量は12.0 F/g（掃引速度100 mV/s）で、未修飾VAMWCNT電極のそれの1.8倍であった。deF550-VAMWCNTs を正極、N500-VAMWCNTsを負極とした2極セルの開放電圧は+0.16 Vであり、単位電極質量当りに等量の電荷を与えた時の電圧とエネルギー密度は両極がN500-VAMWCNTsの2極セルのそれらよりも大きかった。
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