| 研究課題/領域番号 |
15H04166
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属・資源生産工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
吉川 健 東京大学, 生産技術研究所, 准教授 (90435933)
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| 研究分担者 |
川西 咲子 東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (80726985)
澁田 靖 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (90401124)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
16,250千円 (直接経費: 12,500千円、間接経費: 3,750千円)
2017年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2016年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2015年度: 7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円)
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| キーワード | シリコンカーバイド / 固液界面 / 直接観察 / 分子動力学法 / SiC / 溶液成長 / 界面観察 / ステップ構造 |
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| 研究成果の概要 |
成長界面その場観察技術を用い、SiC成長界面における線状インクルージョンの発生がスパイラルヒロック端において前進ステップと干渉して発達したバンチングステップによることを明らかにした。次いで、低過飽和条件を利用することで種結晶中の貫通らせん転位を起点としたスパイラル成長の安定維持が可能であり、その傾斜形状を用いたステップエネルギーの相対評価が可能であることを示した。
また分子動力学法計算を用い、Si-C溶液と3C, 4H, 6H-SiC結晶の界面における界面成長挙動を調査し、種々の結晶面上の成長挙動を評価した。特に4H-SiC｛1-102}上ではラフ界面を維持した安定成長が継続することを示した。
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