Si系酸化薄膜抵抗変化材料における欠陥分布の高感度計測および精密制御

• 研究課題/領域番号: 15H05520
• 研究種目: 若手研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 大田 晃生 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (10553620)
• 研究期間 (年度): 2015-04-01 – 2018-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2017年度)
• 配分額: 23,270千円 (直接経費: 17,900千円、間接経費: 5,370千円); 2017年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円); 2016年度: 9,750千円 (直接経費: 7,500千円、間接経費: 2,250千円); 2015年度: 11,180千円 (直接経費: 8,600千円、間接経費: 2,580千円)
• キーワード: 光電子収率分光 / 電子状態 / 欠陥準位計測 / 不揮発性メモリ / 欠陥計測

研究成果の概要

低消費電力化・高集積化可能なナノスケールメモリデバイスの創製を目指し、既存のSiプロセスと親和性が高いSi酸化膜を抵抗変化誘起材料に用いた抵抗変化型メモリを探求した。その成果として、真空準位を基準として3eVから10eVまでの幅広いエネルギー帯を分析可能な光電子収率分光(PYS)システムを構築し、Si酸化膜のエネルギーバンドギャップ内に存在する電子占有欠陥密度を高感度に定量した。また、Si酸化膜をNi電極で挟み込んだダイオードを作製し、電気抵抗スイッチング動作およびその高性能化を調べた。特に、Tiナノドットの埋め込みによる導電性パスの制御に力点を置き研究を進めた。

研究成果

• [雑誌論文] Evaluation of Resistive Switching Properties of Si-rich Oxide Embedded with Ti Nano-dots by Applying Constant Voltage & Constant Current (2018)
  • 著者名/発表者名: A. Ohta, Y. Kato, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 印刷中
  • 査読あり
• [雑誌論文] Direct evaluation of electrical dipole moment and oxygen density ratio at high-k dielectrics/SiO2 interface by X-ray photoelectron spectroscopy analysis (2018)
  • 著者名/発表者名: Fujimura Nobuyuki、Ohta Akio、Ikeda Mitsuhisa、Makihara Katsunori、Miyazaki Seiichi
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 57 号: 4S ページ: 04FB07-04FB07
  • DOI: 10.7567/jjap.57.04fb07
  • NAID: 210000148862
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characterization of Interfacial Dipoles at Dielectric Stacks by XPS Analysis (2017)
  • 著者名/発表者名: S. Miyazaki, A. Ohta, and N. Fujimura
  • 雑誌名: Electrochemical Society (ECS) Transaction 巻: 80 号: 1 ページ: 229-235
  • DOI: 10.1149/08001.0229ecst
  • 査読あり
• [雑誌論文] Evaluation of Energy Distribution of Filled Defects of Si Oxide Thin Films from Total Photoelectron Yield Spectroscopy (2017)
  • 著者名/発表者名: A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 雑誌名: Microelectronic Engineering 巻: 178 ページ: 85-88
  • DOI: 10.1016/j.mee.2017.05.001
  • 査読あり
• [雑誌論文] Potential Changes and Chemical Bonding Features for Si-MOS Diode as Evaluated from HAXPES Analysis (2017)
  • 著者名/発表者名: A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, K. Makihara, E. Ikenaga, and S. Miyazaki
  • 雑誌名: Microelectronic Engineering 巻: 178 ページ: 80-84
  • DOI: 10.1016/j.mee.2017.05.002
  • 査読あり
• [雑誌論文] Embedding of Ti Nanodots into SiO_x and Its Impact on Resistance Switching Behaviors (2017)
  • 著者名/発表者名: Y. Kato, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 雑誌名: IEICE Transactions on Electronics 巻: E100.C 号: 5 ページ: 468-474
  • DOI: 10.1587/transele.E100.C.468
  • NAID: 130005631611
  • ISSN: 0916-8524, 1745-1353
  • 査読あり
• [雑誌論文] Photoemission Study on Electrical Dipole at SiO2/Si and HfO2/SiO2 Interface (2017)
  • 著者名/発表者名: N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 56 号: 4S ページ: 04CB04-04CB04
  • DOI: 10.7567/jjap.56.04cb04
  • NAID: 210000147552
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Evaluation of Dielectric Function of Thermally-grown SiO2 and GeO2 from Energy Loss Signals for XPS Core-line Photoelectrons (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 雑誌名: Electrochemical Society Transaction 巻: 75 号: 8 ページ: 777-783
  • DOI: 10.1149/07508.0777ecst
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Evaluation of Valence Band Top and Electron Affinity of SiO2 and Si-based Semiconductors Using XPS (2016)
  • 著者名/発表者名: N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 55 号: 8S2 ページ: 08PC06-08PC06
  • DOI: 10.7567/jjap.55.08pc06
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Resistive Switching Characteristics of Si-rich Oxides with Embedding Ti Nanodots (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Kato, T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 雑誌名: Electrochemical Society Transaction 巻: 69 号: 10 ページ: 291-298
  • DOI: 10.1149/06910.0291ecst
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [学会発表] XPS Study on High-k/SiO2 Interface -Correlation between Electrical Dipole and Oxygen Density- (2018)
  • 著者名/発表者名: N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 学会等名: 11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
  • 国際学会
• [学会発表] 光電子収率分光法による熱酸化SiO2/Si構造の電子状態計測 (2018)
  • 著者名/発表者名: 大田 晃生、今川 拓哉、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会
  • 国際学会
• [学会発表] XPSによるY2O3/SiO2界面の化学結合状態および内部電位評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] SiO2/Si構造の真空紫外光電子分光分析 (2018)
  • 著者名/発表者名: 今川 拓哉、大田 晃生、田岡 紀之、藤村 信幸、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] XPSによる極薄high-k／SiO2ゲートスタック構造の電子状態および化学結合状態評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第23回)
• [学会発表] Tiナノドットを埋め込んだSiOx膜の電気抵抗変化特性－定電圧および定電流印加による特性制御－ (2017)
  • 著者名/発表者名: 加藤 祐介、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜, 神奈川
  • 年月日: 2017-03-14
• [学会発表] Total Photoelectron Yield Spectroscopy of Electronic States of GaN Surface (2017)
  • 著者名/発表者名: A. Ohta, N. Truyen, N. Fujimura, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 学会等名: 8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science
  • 発表場所: Chubu University,Aichi
  • 年月日: 2017-03-01
  • 国際学会
• [学会発表] Total Photoelectron Yield Spectroscopy of Electronic States of Oxide Thin Films and Wide Bandgap Semiconductors (2017)
  • 著者名/発表者名: A. Ohta, T. Yamamoto, N. Truyen, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 学会等名: 0th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
  • 発表場所: Tohoku University, Miyagi
  • 年月日: 2017-02-13
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Potential Change and Electrical Dipole at Ultrathin Oxide/Semiconductor Interfaces as Evaluated by XPS (2017)
  • 著者名/発表者名: N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 学会等名: 10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
  • 発表場所: Tohoku University, Miyagi
  • 年月日: 2017-02-13
  • 国際学会
• [学会発表] Evaluation of Dielectric Function of Oxide Thin Films from Photoemission Measurements (2017)
  • 著者名/発表者名: T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 学会等名: 10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
  • 発表場所: Tohoku University, Miyagi
  • 年月日: 2017-02-13
  • 国際学会
• [学会発表] X線光電子分光法による極薄酸化物積層構造の電位変化・ダイポール評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第22回)
  • 発表場所: 東レ研修センター, 静岡
  • 年月日: 2017-01-19
• [学会発表] Evaluation of Filled Electronic States of Epitaxial GaN(0001) Surface by Total Photoelectron Yield Spectroscopy (2017)
  • 著者名/発表者名: A. Ohta, N. Truyen, N. Fujimura, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
  • 学会等名: 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices
  • 国際学会
• [学会発表] XPS Study on Evaluation of Electrical Dipole and Atomic Density Ratio at Ultrathin High-k Dielectrics/SiO2 Interface (2017)
  • 著者名/発表者名: N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
  • 学会等名: 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices
  • 国際学会
• [学会発表] Evaluation of Resistive Switching Properties of Si-rich Oxide Embedded with Ti Nanodots by Applying Constant Voltage and Constant Current (2017)
  • 著者名/発表者名: A. Ohta, Y. Kato, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 学会等名: 30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
  • 国際学会
• [学会発表] Direct Observation of Electrical Dipole and Atomic Density at High-k Dielectrics/SiO2 Interface (2017)
  • 著者名/発表者名: N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 学会等名: 2017 International Conference of Solid State of Device and Materials
  • 国際学会
• [学会発表] Evaluation of Energy Distribution of Filled Defects of Si Oxide Thin Films from Total Photoelectron Yield Spectroscopy (2017)
  • 著者名/発表者名: A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 学会等名: 20th Conference on Insulating Films on Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Potential Changes and Chemical Bonding Features for Si-MOS Diodes as Evaluated from HAXPES Analysis (2017)
  • 著者名/発表者名: A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, K. Makihara, E. Ikenaga, S. Miyazaki
  • 学会等名: 20th Conference on Insulating Films on Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] 高誘電率絶縁膜/SiO2界面のダイポール形成と化学構造の関係 (2017)
  • 著者名/発表者名: 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 第17回 日本表面科学会中部支部・学術講演会
• [学会発表] XPSによるHigh-k/SiO2界面のダイポール定量と酸素密度比との相関 (2017)
  • 著者名/発表者名: 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 高誘電率絶縁膜の電子親和力の決定およびSiO2 との界面で生じる電位変化の定量 (2017)
  • 著者名/発表者名: 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 2017 年真空・表面科学合同講演会 第37 回表面科学学術講演会・第58 回真空に関する連合講演会
• [学会発表] XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎誠一
  • 学会等名: 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
• [学会発表] 定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 大田 晃生、加藤 祐介、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
• [学会発表] シリコン酸化薄膜の電気抵抗スイッチングおよび欠陥準位密度評価 (2016)
  • 著者名/発表者名: 加藤 祐介、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 年真空・表面科学合同講演会 (第36 回表面科学学術講演会、第57 回真空に関する連合講演会)
  • 発表場所: 名古屋国際会議場, 愛知
  • 年月日: 2016-11-29
• [学会発表] Ti薄膜およびナノドットを埋め込んだSiOx-MIMダイオードの抵抗変化特性 (2016)
  • 著者名/発表者名: 加藤 祐介、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 応用物理学会SC東海地区学術講演会2016
  • 発表場所: 名古屋大学, 愛知
  • 年月日: 2016-10-29
• [学会発表] XPSを用いたSiO2およびGeO2の誘電関数・光学定数の評価手法の検討 (2016)
  • 著者名/発表者名: 山本 泰史、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 応用物理学会SC東海地区学術講演会2016
  • 発表場所: 名古屋大学, 愛知
  • 年月日: 2016-10-29
• [学会発表] Evaluation of Dielectric Function of Thermally-Grown SiO2 from Energy Loss Signals for XPS Core-Line Photoelectrons (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 学会等名: PRiME 2016/230th ECS Meeting
  • 発表場所: Hawaii Convention Center, Hawai
  • 年月日: 2016-10-02
  • 国際学会
• [学会発表] Evaluation of Potential Change and Electrical Dipole in HfO2/SiO2/Si Structure (2016)
  • 著者名/発表者名: N.Fujimura, A.Ohta, K.Makihara, S.Miyazaki
  • 学会等名: 2016 International Conference of Solid State of Device and Materials
  • 発表場所: Tsukuba International Congress Center, Ibaraki
  • 年月日: 2016-09-26
  • 国際学会
• [学会発表] X線光電子分光法による熱酸化SiO2およびGeO2薄膜の誘電関数評価 (2016)
  • 著者名/発表者名: 山本 泰史、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ, 新潟
  • 年月日: 2016-09-13
• [学会発表] Embedding of Ti Nanodots into SiOx and Its Impact on Resistance Switching Behaviors (2016)
  • 著者名/発表者名: Y. Kato, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 学会等名: 2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
  • 発表場所: Hakodate Kokusai Hotel, Hokkaido
  • 年月日: 2016-07-04
  • 国際学会
• [学会発表] XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量 (2016)
  • 著者名/発表者名: 藤村 信幸、大田 晃生、渡辺 浩成、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
  • 発表場所: キャンパス・イノベーションセンター東京, 東京
  • 年月日: 2016-06-29
• [学会発表] リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成 (2016)
  • 著者名/発表者名: グェンスァンチュン、藤村 信幸、竹内 大智、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮崎 誠一
  • 学会等名: 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
  • 発表場所: キャンパス・イノベーションセンター東京, 東京
  • 年月日: 2016-06-29
• [学会発表] Ti 系薄膜および Ti ナノドットを埋め込んだ SiOx膜の抵抗変化特性評価 (2016)
  • 著者名/発表者名: 加藤 祐介、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京都目黒区
  • 年月日: 2016-03-19
• [学会発表] Effect of Ge Stacked Layer on Ti Nanodots Formation From Metal Thin Films by Remote Hydrogen Plasma Exposure (2016)
  • 著者名/発表者名: Y. Kato, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 学会等名: 8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2016)
  • 発表場所: Nagoya, Aichi, Japan
  • 年月日: 2016-03-06
  • 国際学会
• [学会発表] Si, 4H-SiCおよびSiO2の価電子帯上端位置と電子親和力の評価 (2016)
  • 著者名/発表者名: 藤村 信幸、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- (第21回)
  • 発表場所: 静岡県三島市
  • 年月日: 2016-01-21
• [学会発表] SiOx膜へのTiナノドットの埋め込みがその抵抗変化特性に与える影響 (2016)
  • 著者名/発表者名: 加藤 祐介、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- (第21回)
  • 発表場所: 静岡県三島市
  • 年月日: 2016-01-21
• [学会発表] Determination of Electron Affinity of Si-based Materials using by X-ray Photoelectron Spectroscopy (2016)
  • 著者名/発表者名: N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 学会等名: 9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar “Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration”
  • 発表場所: Sendai, Miyagi, Japan
  • 年月日: 2016-01-11
  • 国際学会
• [学会発表] High Density Ti Nanodots Formation and Improvement of ReRAM Characteristics by Embedding Ti Nanodots (2016)
  • 著者名/発表者名: Y. Kato, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 学会等名: 9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar “Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration”
  • 発表場所: Sendai, Miyagi, Japan
  • 年月日: 2016-01-11
  • 国際学会
• [学会発表] Tiナノドットの高密度一括形成とその埋め込みによる抵抗変化特性の向上 (2015)
  • 著者名/発表者名: 加藤 祐介、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 応用物理学会SC東海地区学術講演会2015
  • 発表場所: 愛知県名古屋市
  • 年月日: 2015-11-14
• [学会発表] XPSによるSi系材料の電子親和力決定手法の検討 (2015)
  • 著者名/発表者名: 藤村 信幸、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 応用物理学会SC東海地区学術講演会2015
  • 発表場所: 愛知県名古屋市
  • 年月日: 2015-11-14
• [学会発表] Photoemission Study of the Electronic Structure of Si-based Materials (2015)
  • 著者名/発表者名: A. Ohta, N. Fujimura, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 学会等名: The first International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN2015)
  • 発表場所: Nagoya, Aichi, Japan
  • 年月日: 2015-11-07
  • 国際学会
• [学会発表] Evaluation of Valence Band Maximum and Electron Affinity of SiO2 and Si-based Semiconductors Using XPS (2015)
  • 著者名/発表者名: N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 学会等名: 2015 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices -Science and Technology- (IWDTF 2015)
  • 発表場所: koto-ku, Tokyo, Japan
  • 年月日: 2015-11-02
  • 国際学会
• [学会発表] Formation of High Density Ti Nanodots and Evaluation of Resistive Switching Properties of SiOx-ReRAMs with Ti Nanodots (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Kato, A. Ohta, T. Arai, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 学会等名: 2015 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices -Science and Technology- (IWDTF 2015)
  • 発表場所: koto-ku, Tokyo, Japan,
  • 年月日: 2015-11-02
  • 国際学会
• [学会発表] Resistive Switching Characteristics of Si-rich Oxides with Embedding Ti Nanodots (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Kato, T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
  • 学会等名: 226th The Electrochemical Scociety (ECS) Meeting
  • 発表場所: Phoenix, Arizona, USA
  • 年月日: 2015-10-11
  • 国際学会
• [学会発表] X線光電子分光法によるSiおよびSiO2の価電子帯上端位置の決定 (2015)
  • 著者名/発表者名: 藤村 信幸、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 愛知県名古屋市
  • 年月日: 2015-09-13
• [学会発表] Ni/SiOx/Ti Nanodots/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価 (2015)
  • 著者名/発表者名: 加藤 祐介、荒井 崇、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 愛知県名古屋市
  • 年月日: 2015-09-13
• [学会発表] Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性 (2015)
  • 著者名/発表者名: 加藤 祐介、荒井 崇、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一
  • 学会等名: 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]シリコンテクノロジー分科会 7月度合同研究会
  • 発表場所: 愛知県名古屋市
  • 年月日: 2015-06-19