研究課題/領域番号 |
15H05521
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研究種目 |
若手研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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研究機関 | 東北大学 |
研究代表者 |
深見 俊輔 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (60704492)
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研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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配分額 *注記 |
15,210千円 (直接経費: 11,700千円、間接経費: 3,510千円)
2017年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2016年度: 7,020千円 (直接経費: 5,400千円、間接経費: 1,620千円)
2015年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
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キーワード | 電流誘起磁壁移動 / スピントルク / 微細化 / 3次元デバイス / 磁壁 / 垂直磁気異方性 / 面内磁気異方性 / 三次元 / 3端子スピントロニクス素子 / 断熱スピントルク / 3次元デバイス / 断熱スピン移行トルク |
研究成果の概要 |
本研究では、極微細細線における電流誘起磁壁移動の新方式を提案、実証し、そこで得られた知見をもとに3次元磁壁移動デバイスの実現指針を検討することを目指して行った。はじめに垂直型の微細化限界を明らかにするとともに垂直型の延命方法を明らかにし、次いでそれとは異なる思想から面内型の新しい可能性を計算で明らかにした上で垂直型では実現できない微細領域での磁壁移動を実証した。最後に3次元磁壁移動デバイス実現のための端緒を得るところまで成功し、当初の研究課題の目標を概ね達成することができた。
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
スピントロニクスの原理を利用することで超低消費電力な集積回路を実現できる。電流誘起磁壁移動はスピントロニクス関連現象の一つであり、超低消費電力集積回路を実現するスピントロニクス素子の動作原理として利用できる。応用上はスピントロニクス素子の性能を維持しながら、あるいは向上させながら素子のサイズを微細化できることが望ましい。本研究は、10 nm程度の究極の微細世代においても優れた特性を実現できる電流誘起磁壁移動を利用したスピントロニクス素子の設計指針を実験で明らかにし、かつ現在の2次元的なデバイス構造から飛躍し、3次元的な構造の実現への見通しをつけたものである。
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