| 研究課題/領域番号 |
15H05732
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
川上 養一 京都大学, 工学研究科, 教授 (30214604)
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| 研究分担者 |
船戸 充 京都大学, 工学研究科, 准教授 (70240827)
石井 良太 京都大学, 工学研究科, 助教 (60737047)
岡本 晃一 大阪府立大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (50467453)
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| 研究期間 (年度) |
2015-05-29 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
190,190千円 (直接経費: 146,300千円、間接経費: 43,890千円)
2019年度: 29,770千円 (直接経費: 22,900千円、間接経費: 6,870千円)
2018年度: 37,180千円 (直接経費: 28,600千円、間接経費: 8,580千円)
2017年度: 37,440千円 (直接経費: 28,800千円、間接経費: 8,640千円)
2016年度: 41,210千円 (直接経費: 31,700千円、間接経費: 9,510千円)
2015年度: 44,590千円 (直接経費: 34,300千円、間接経費: 10,290千円)
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| キーワード | 新機能発光デバイス / 半導体3次元構造 / 局在光物性 / 多波長発光光源 / 窒化物半導体 / プラズモニクス / 3次元構造 / ナノ局在 / 多波長発光 / テーラーメイド光源 / 多波長発光制御 / ナノ局在物性 / 近接場分光 |
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| 研究成果の概要 |
可視域をカバーするInGaN系多色発光構造として，半極性GaNテンプレート上に極性面フリーなマルチファセット構造の作製に成功し，多色発光を実現した．また，発光ダイナミクス評価により，全ての発光成分が極性面よりも高い輻射再結合確率を有していることが確認され，分極誘起電界の抑制が実証された．また，マルチファセット構造の各結晶ファセット面へのpn接合を形成し，白色を含む多色発光ダイオード（LED）の試作に成功した．さらに，ストライプ溝を形成したAlN/サファイア基板テンプレート上への再成長により，AlGaN系3次元構造を得ることに成功し，これを利用した深紫外域における多波長LEDの試作に成功した．
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
(Al,Ga,In)N系半導体におけるナノ・マイクロ構造中から，任意の波長を高効率で発光させるための技術や基礎光物性評価は，光材料物性の学理構築に貢献する．また，試作された発光素子は，高い演色制御が求められる次世代のテーラーメイド照明，ウイルスの不活性化や微細加工技術として期待される深紫外フォトニクス，さらには情報を光の上に乗せて通信する第6世代の高速光通信（Li-Fi応用）に貢献するものである．
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| 評価記号 |
検証結果 (区分)
A-
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評価記号 |
評価結果 (区分)
A: 当初目標に向けて順調に研究が進展しており、期待どおりの成果が見込まれる
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