| 研究課題/領域番号 |
15H06070
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
奥村 宏典 筑波大学, 数理物質系, 助教 (80756750)
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| 研究協力者 |
上殿 明良
GRANDJEAN Nicolas
PALACIOS Tomas
SUIHKONEN Sami
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| 研究期間 (年度) |
2015-08-28 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2016年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | パワーデバイス / 窒化物半導体 / 点欠陥 / 結晶成長 / 電気的特性評価 / p型半導体 / イオン注入 / 高温熱処理 / AlN / 高電界効果トランジスタ / アニール / 接触抵抗 / 窒素極性面 / 電気・電子材料 / 格子欠陥 / 半導体物性 / 電子デバイス・機器 / 高濃度p型ドーピング / バックワードダイオード / トンネル電流 / アンモニアMBE |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、次世代の高周波パワーデバイスとして着目されている、窒化物半導体を用いた電子デバイスの高性能化を行った。結晶成長技術の向上に伴って転位密度が低減してきたが、点欠陥については十分に研究されていない。特に点欠陥の影響が大きいp型GaN層とAlN層を用いて、点欠陥と電気的特性の関係を調べた。
(i)p型GaNを窒素過剰条件かつ低温で結晶成長することで、世界最高の正孔濃度が得られた。本成果は、p型GaN電極界面の電流輸送機構の解明に繋がった。
(ii)Siイオンを注入したAlNに1500度の熱処理を行うと、n型電導性を示した。本試料を用いて、AlN電界効果トランジスタを世界で初めて動作させた。
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