| 研究課題/領域番号 |
15H06092
|
|---|
| 研究種目 |
研究活動スタート支援
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
ナノ構造物理
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
平岡 奈緒香 (太田奈緒香) 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 助教 (40758827)
|
|---|
| 研究協力者 |
山田 豊和 千葉大学, 大学院融合科学研究科, 准教授 (10383548)
根岸 真通 東京大学, 大学院理学系研究科
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2015-08-28 – 2017-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
|
| 配分額 *注記 |
2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2016年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
|
|---|
| キーワード | 強相関電子系 / 半金属-絶縁体転移 / 磁性薄膜 / 強相関系 / 磁性 / ナノ材料 / 磁性ナノ構造 |
|---|
| 研究成果の概要 |
本研究では、セルフデカップリング型の構造のよく規定された磁性原子集合体を作製し、その磁気状態を解明することを目指した。構造制御のため、走査トンネル顕微鏡法もしくはパルスレーザー堆積法を用いた。後者の方法を用いて、結晶の対称性と伝導・磁気状態が深く関わっていると予想されている物質、ペロブスカイト型AIr1-xSnxO3(A=SrまたはCa)のエピタキシャル薄膜化に成功した。バルク物質において報告されているものと同様の置換率・温度依存の常磁性半金属-弱強磁性絶縁体転移を観測し、また磁化・磁気抵抗に異方性があることを明らかにした。構造と異方性の相関から構造制御による電磁応答特性制御の可能性を示した。
|
