| 研究課題/領域番号 |
15H06901
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
構造・機能材料
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| 研究機関 | 東京工業大学 (2016)
公益財団法人神奈川科学技術アカデミー (2015) |
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研究代表者 |
重松 圭 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 特任助教 (40754578)
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| 研究期間 (年度) |
2015-08-28 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2016年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | 酸化物薄膜 / パルスレーザー堆積法 / トポタクティック反応 / 酸化物 / アモルファス半導体 / 固体化学 / 薄膜 / エレクトロニクス / 複アニオン酸化物 / 透明導電膜 / アニオン複合酸化物 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、透明導電膜の新奇合成プロセスの探索という観点からアモルファス亜鉛系薄膜のトポタクティックフッ素化を行った。その結果、前駆体の酸素欠損量にかかわらず、フッ素化がごく表面で停止する結果が見出され、酸素欠損量以外にフッ素化反応に影響するファクターの存在が示唆された。また、Ga置換したアモルファスZn酸窒化物薄膜の研究を行った。条件探索の結果、Ga1%を置換したアモルファス薄膜が得られ、バンドギャップの増大とキャリア濃度の低下が確認された。また、ノンドープZnONでみられる薄膜からの窒素抜けがGa導入により抑制され、電気伝導率がより長い期間維持され薄膜の安定性の向上が確認された。
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