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ウルツ鉱型構造を有するナローギャップ酸化物半導体の伝導性制御と太陽電池への応用

研究課題

研究課題/領域番号 15J00261
研究種目

特別研究員奨励費

配分区分補助金
応募区分国内
研究分野 無機材料・物性
研究機関大阪大学

研究代表者

長谷 拓  大阪大学, 工学研究科, 特別研究員(DC2)

研究期間 (年度) 2015-04-24 – 2017-03-31
研究課題ステータス 完了 (2016年度)
配分額 *注記
1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
2016年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
2015年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
キーワード酸化物半導体 / 不純物ドーピング / イオン伝導 / 薄膜
研究実績の概要

1.ドーパントの検討
これまでドーパントに用いたBeは発がん性物質であり、実用には向いていない。そこで、Beの代わりに2価の陽イオンMg2+およびZn2+について検討した。β-NaGaO2の原料Na2CO3、Ga2O3および、ドーパント原料MgOまたはZnOを混合し、900℃または1200℃で焼成した。900℃焼成ではMg、Znいずれの場合もβ-NaGaO2とMgO、ZnOの2相となり固溶しなかった。1200℃焼成ではスピネル型のMgGa2O4、ZnGa2O4が生成し、固溶しなかった。高温においてスピネル型構造は非常に安定な構造であり、高温固相反応を経て作製するβ-NaGaO2へキャリア注入する際のドーパントとしてMg2+やZn2+は適さないことが明らかとなった。この結果を受け、今後のβ-NaGaO2への正孔キャリア注入はBe2+に絞って行う。
2. β-M’GaO2中の1価陽イオンのイオン伝導度
これまでβ-M’GaO2中の1価陽イオンのイオン交換はNa+→Li+、Na+→Cu+、Cu+→Li+の方向へ進行するが、逆の交換反応は全く起こらないことがわかっている。このイオン交換の進行する方向はいかにして決まるのかを調べた。イオン伝導度の大きさはβ-CuGaO2>β-NaGaO2>β-LiGaO2であり、イオン交換の進行方向と合致しなかった。β-CuGaO2は電子伝導性を有するため、正確な測定をするためには電子伝導を遮断する必要がある。結晶内にある酸素を中心にした四面体の結合角M-O-Mの正四面体の結合角からのずれを表す指標指標であるADIに基づくと、ADIの大きさはβ-NaGaO2>β-CuGaO2>β-LiGaO2の順となった。つまり、歪みが小さな構造はエネルギー的により安定であり、β-M’GaO2中の1価の陽イオンのイオン交換は構造的に安定な方向へと進むことが明らかとなった。

現在までの達成度 (段落)

28年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

28年度が最終年度であるため、記入しない。

報告書

(2件)
  • 2016 実績報告書
  • 2015 実績報告書
  • 研究成果

    (12件)

すべて 2016 2015

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件、 オープンアクセス 1件、 謝辞記載あり 2件) 学会発表 (10件) (うち国際学会 4件)

  • [雑誌論文] First-Principles Study of CuGaO2 Polymorphs: Delafossite α-CuGaO2 and Wurtzite β-CuGaO22016

    • 著者名/発表者名
      Issei Suzuki, Hiraku Nagatani, Masao Kita, Yuki Iguchi, Chiyuki Sato, Hiroshi Yanagi, Naoki Ohashi, Takahisa Omata
    • 雑誌名

      Inorganic Chemistry

      巻: 55 号: 15 ページ: 7610-7616

    • DOI

      10.1021/acs.inorgchem.6b01012

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] First principles calculations of ternary wurtzite β-CuGaO22016

    • 著者名/発表者名
      Issei Suzuki, Hiraku Nagatani, Masao Kita, Yuki Iguchi, Chiyuki Sato, Hiroshi Yanagi, Naoki Ohashi, Takahisa Omata
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 119 号: 9 ページ: 095701-095701

    • DOI

      10.1063/1.4942619

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [学会発表] ウルツ鉱型酸化物半導体β-AgGaO2の伝導性制御2016

    • 著者名/発表者名
      長谷拓、鈴木一誓、喜多正雄、小俣孝久
    • 学会等名
      第16回東北大学多元物質科学研究所研究発表会
    • 発表場所
      東北大学
    • 年月日
      2016-12-07
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] Band gap engineering of Wurtzite β-CuGaO2 by alloying with β-CuAlO2 and β-LiGaO2 and their electronic structure2016

    • 著者名/発表者名
      Takahisa Omata, Hiraku Nagatani, Yuki Mizuno, Issei Suzuki, Masao Kita and Naoki Ohashi
    • 学会等名
      the 9th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • 年月日
      2016-11-01
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] New quaternary narrow gap oxide semiconductor Cu2ZnGeO4 with a wurtzite-derived structure2016

    • 著者名/発表者名
      Masao Kita, Issei Suzuki, Hiraku Nagatani, Yuki Mizuno, Makoto Inoue and Takahisa Omata
    • 学会等名
      the 9th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • 年月日
      2016-11-01
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Control of Electrical Conductivity of Ternary Wurtzite β-AgGaO22016

    • 著者名/発表者名
      Hiraku Nagatani, Issei Suzuki, Masao Kita and Takahisa Omata
    • 学会等名
      the 9th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • 年月日
      2016-10-31
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Band Gap Engineering of Wurtzite-Type Narrow Band Gap Oxide Semiconductor β-CuGaO22016

    • 著者名/発表者名
      Takahisa Omata, Yuki Mizuno, Hiraku Nagatani, Issei Suzuki and Masao Kita
    • 学会等名
      Pacific Rim Meeting on Electrochemical and solid-state science
    • 発表場所
      Honolulu, Hawaii
    • 年月日
      2016-10-07
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] ウルツ鉱型酸化物半導体β-CuGaO2, β-AgGaO2 への不純物ドーピング2015

    • 著者名/発表者名
      長谷拓、鈴木一誓、小俣孝久、喜多正雄
    • 学会等名
      日本セラミックス協会 第28回秋季シンポジウム
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2015-09-18
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] ウルツ鉱型関連構造の四元系ナローギャップ酸化物半導体Cu2ZnGeO4の合成2015

    • 著者名/発表者名
      喜多正雄、鈴木一誓、長谷拓、水野裕貴、小俣孝久
    • 学会等名
      日本セラミックス協会 第28回秋季シンポジウム
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2015-09-18
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] ウルツ鉱型ナローバンドギャップ半導体β-CuGaO2 のバンドエンジニアリング2015

    • 著者名/発表者名
      水野裕貴、長谷拓、鈴木一誓、喜多正雄、小俣孝久
    • 学会等名
      日本セラミックス協会 第28回秋季シンポジウム
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2015-09-18
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] ウルツ鉱型酸化物半導体β-CuGaO2, β-AgGaO2への不純物ドーピング2015

    • 著者名/発表者名
      長谷拓、鈴木一誓、喜多正雄、小俣孝久
    • 学会等名
      資源素材学会 平成27年度資源・素材関係学協会合同秋季大会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • 年月日
      2015-09-08
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] 酸化物薄膜太陽電池材料β-CuGaO2の薄膜作製2015

    • 著者名/発表者名
      鈴木一誓、長谷拓、喜多正雄、小俣孝久
    • 学会等名
      資源素材学会 平成27年度資源・素材関係学協会合同秋季大会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • 年月日
      2015-09-08
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書

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公開日: 2015-11-26   更新日: 2024-03-26  

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