| 研究課題/領域番号 |
15J04793
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 国内 |
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| 研究分野 |
プラズマエレクトロニクス
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
中﨑 暢也 京都大学, 工学研究科, 特別研究員(DC2)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-24 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
採択後辞退 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
2016年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
2015年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
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| キーワード | プラズマエッチング / イオン斜入射 / リップル構造形成 / 分子動力学法 / フーリエ変換赤外吸収分光法 |
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| 研究実績の概要 |
本研究は、半導体集積回路デバイスやMEMS製作に用いられる微細加工技術の一つであるプラズマエッチングに関連するものです。プラズマエッチングは、プラズマ中で生成され、シース領域で高エネルギーに加速されて基板表面に垂直に入射する正イオンと、電気的に中性で化学反応活性な中性ラジカルとによる物理・化学的作用によって材料表面を加工し、基板上に微細な構造（数nm～数μm）を作製する技術です。本研究では特に、プラズマと加工される基板表面との相互作用の結果としてエッチング中の基板に生じる表面ラフネス（基板表面の荒れ）に着目し、その発現メカニズムの基礎的理解と制御法の確立を目標としています。
今年度は、（１）イオン斜入射によるリップル構造形成、（２）分子動力学法を用いたエッチング表面反応の解析、（３）フーリエ変換赤外吸収分光法を用いたエッチング中の基板表面温度測定に関して、研究を進め、論文投稿や学会発表等を行いました。（１）では、シースコントロールプレートを用いたプラズマからのイオン斜入射を実現、シミュレーションで予測されていたリップル構造の形成を世界で初めて実験実証し、2件の国際学会発表および1件の国内招待講演を行い、DPS Young Researcher Awardの受賞者に内定しました。（２）では、塩素・臭素系プラズマによるSiエッチングの表面反応に関する論文をJournal of Applied Physics誌にて発表し、またSiClxイオンによるSiエッチングの表面反応に関する論文（Japanese Journal of Applied Physics誌、2014年4月）により、第37回（2015年度）応用物理学会論文奨励賞を受賞、第76回応用物理学会秋季学術講演会にて招待講演を行いました。（３）では、フーリエ変換赤外吸収分光法を用いたエッチング中の基板表面温度測定が可能であることを実験実証し、1件の国内学会発表を行いました。
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| 現在までの達成度 (段落) |
翌年度、交付申請を辞退するため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
翌年度、交付申請を辞退するため、記入しない。
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