| 研究課題/領域番号 |
15K04601
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
ナノ構造物理
|
|---|
| 研究機関 | 首都大学東京 |
|---|
研究代表者 |
中井 祐介 首都大学東京, 理工学研究科, 助教 (90596842)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2017年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2016年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2015年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
|
|---|
| キーワード | カーボンナノチューブ / 熱電物性 / 磁性 / NMR / 熱電変換 / ゼーベック係数 |
|---|
| 研究成果の概要 |
本研究を通して、単層カーボンナノチューブフィルム試料の熱電性能向上のための指針について重要な知見を得ることができた。特に、フィルム試料のゼーベック係数や熱伝導率に比べ、電気抵抗率が顕著な試料依存性を示すことから、電気抵抗率の低減が高い熱電性能実現に有効な手法と考えられる。また、本研究を通じて培われた試料精製技術を用いることによって、単層カーボンナノチューブの磁性、電子状態に関する基礎的な知見も明らかにすることができた。
|
