| 研究課題/領域番号 |
15K04602
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
ナノ構造物理
|
|---|
| 研究機関 | 日本大学 |
|---|
研究代表者 |
高瀬 浩一 日本大学, 理工学部, 教授 (10297781)
|
|---|
| 研究分担者 |
清水 智弘 関西大学, システム理工学部, 准教授 (80581165)
|
|---|
| 連携研究者 |
牧原 克典 名古屋大学, 大学院工学研究課, 准教授 (90553561)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2017年度: 130千円 (直接経費: 100千円、間接経費: 30千円)
2016年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2015年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
|
|---|
| キーワード | 抵抗変化メモリ / スイッチング電圧の再現性 / 導電性フィラメント / ナノワイヤーによるフィラメント制御 / フィラメント / スイッチング電圧 / ナノワイヤー / フィラメント形成の抑制 / フィラメント閉じ込め効果 / 絶縁体ナノワイヤー作成 / ナノワイヤーメモリ / スイッチング特性 / 電解メッキ法 / スイッチング電圧の再現性向上 / フィラメントの空間制限 / ナノワイヤメモリ / メッキ法 / VLS法 / スイッチング現象 |
|---|
| 研究成果の概要 |
絶縁体ナノワイヤーを用いた抵抗変化メモリを作成し、そのスイッチング特性を調査した。このデバイスにおいては、絶縁体の直径が約40nm程度であるため、この中に作られる導電性フィラメントの数は制限されることになり、スイッチング電圧のばらつきが改善されると期待される。そこで、ポーラスアルミナをナノテンプレートとして電解メッキ法によりニッケルをナノ細孔に埋め込むことでニッケルナノワイヤーを作成し、その後、このナノワイヤーを酸化することで抵抗変化メモリを得た。
このナノワイヤーを絶縁体とする抵抗変化メモリのスイッチング特性を調べた結果、通常の薄膜を用いたものに比べ、スイッチング電圧のばらつきは抑制された。
|
