| 研究課題/領域番号 |
15K04650
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 福井大学 |
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研究代表者 |
福井 一俊 福井大学, 学術研究院工学系部門, 教授 (80156752)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2017年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2016年度: 260千円 (直接経費: 200千円、間接経費: 60千円)
2015年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
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| キーワード | 真空紫外光 / 発光分光 / 放射光 / 真空紫外分光 / III-V族窒化物半導体 / III-V窒化物半導体 |
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| 研究成果の概要 |
今日、紫外線(UV)の領域でもLEDなど半導体素子への期待は大きい。しかし、UVで使う材料の光学的な性質を知るには、よりエネルギーの高い真空紫外光(VUV)まで調べることが必要である。そこで発光がVUVでも偏光特性も含めて測定ができる分光器系を構築し、理想的な紫外光源であるシンクロトロン放射光の施設で運用することを目標にした。その結果、分光器の構築にほぼ目処を付けることが出来るところまで達した。
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