| 研究課題/領域番号 |
15K04653
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 東京理科大学 |
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研究代表者 |
岡村 総一郎 東京理科大学, 理学部第一部応用物理学科, 教授 (60224060)
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| 研究分担者 |
中嶋 宇史 東京理科大学, 理学部, 助教 (60516483)
橋爪 洋一郎 東京理科大学, 理学部第一部応用物理学科, 助教 (50711610)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2017年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2016年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2015年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 分極誘起抵抗変化 / 高分子強誘電体 / 極薄膜 / トーマスフェルミ遮蔽長 / トンネル伝導 / FTJ / 強誘電体 / 抵抗変化 / 分極遮蔽電荷 / 記憶素子 / 分極反転 / 異種電極 / 自発分極 |
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| 研究成果の概要 |
強誘電体薄膜を用いたFTJ構造において、自発分極の向きにより電極間の抵抗が大きく変化する現象について研究を行った。本研究の特徴は、強誘電体層に高分子VDF/TrFE極薄膜を用いた点である。結果として、自発分極の向きと抵抗の大小の関係は、用いる電極材料の仕事関数と相関があり、AuとPtの組合せでは、10,000%という従来の報告と比べても大きな変化が得られることを明らかにした。Pt以外にNb、Ru、ハイドープSiを電極として用いた結果も併せて議論し、最終的には、電極種によりトーマスフェルミ遮蔽長が異なり、その影響で生ずる界面ポテンシャル障壁の非対称性が抵抗変化の原因であると結論づけた。
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