| 研究課題/領域番号 |
15K04666
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| 研究種目 |
基盤研究(Ｃ)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 大阪府立大学 |
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研究代表者 |
河村 裕一 大阪府立大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (80275289)
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| 研究協力者 |
川又 修一
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| 研究期間 (年度) |
2015-10-21 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2017年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2016年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2015年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 量子井戸 / 中赤外デバイス / 分子線結晶成長法 / InP基板 / 中赤外発光素子 / 分子線結晶成長 / InGaAsN / GaAsSb / 中赤外光デバイス / タイプII量子井戸 |
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| 研究成果の概要 |
新しい量子ナノ構造を用いた波長３～５μｍ帯の中赤外デバイスの創成を目的として、分子線結晶成長法（ＭＢＥ）を用いて量子ナノ構造を作成し、その特性を評価するとともに、発光型デバイスも試作しその発光特性を調べた。まずInGaAsN/GaAsSbタイプIIダイオード（発光波長2.6μm）のアニール効果を調べた。その結果５５０℃でアニールした場合は発光波長が3.４μmに、６００℃でアニールした場合は発光波長が4.2μmにシフトすることが分かった。またアニールするとともにInGaAsN発光層の有効質量が減少することもあきらかとなった。これはアニールにより窒素原子が拡散していることを示唆している。
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