| 研究課題/領域番号 |
15K04670
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 近畿大学 |
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研究代表者 |
西川 博昭 近畿大学, 生物理工学部, 准教授 (50309267)
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| 研究分担者 |
岩田 展幸 日本大学, 理工学部, 准教授 (20328686)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2017年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2016年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2015年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 界面電荷移動 / モット・ハバード型絶縁体 / 電荷移動型絶縁体 / ヘテロ界面 / 界面新物質 / 還元 / 電子ドープ / 2次元的磁性金属相 |
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| 研究成果の概要 |
次世代ユニバーサルメモリの有力候補である磁気抵抗ランダムアクセスメモリへの応用が期待できるハーフメタルトンネル接合を実現するための新物質創成を最終目標として、非ハーフメタルからなるヘテロ構造が自発的にハーフメタルトンネル接合となる組み合わせを探索し、界面新物質創成を試みた。ともにペロブスカイト型酸化物であるLaTiO3（LTO）とLaFeO3（LFO）のヘテロ界面においてLTOからLFOへ電子移動が起こり、絶縁体のヘテロ界面が金属的電気伝導を示すという界面新物質の創成に成功した。
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