| 研究課題/領域番号 |
15K04671
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 |
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研究代表者 |
荒井 康智 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構, 有人宇宙技術部門, 主任研究開発員 (90371145)
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| 研究分担者 |
前田 辰郎 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究主幹 (40357984)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2017年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2016年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2015年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | SiGe / 結晶成長 / 電子材料 / シリコンゲルマニウム / 飽和溶融帯移動法 / 赤外透過率 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、近年性能限界が明らかになってきたCPUのSiトランジスタより更に移動度が高い、CPU高速動作が可能なSiGeトランジスタに利用する高品質SiGe結晶育成方法を研究した。主な課題は、Si種子結晶からSiGeが育成する際に、SiとSiGe の熱膨張率差でSiGe結晶に発生するモザイク構造を抑制する事であった。
研究の結果、熱膨張率差緩和を期待したSiGe結晶を種子結晶とする方法は、成長SiGe結晶に多結晶が多くみられ、高品質化が困難である可能性が高いことが判り、新しくダブルゾーンでの解決方法を模索する事とした。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
高速CPU開発は、今後の高速移動体通信や処理速度の速い小型PCには必須の機器であり開発が渇望されている。SiGe結晶の高品質結晶は、高速CPUを実現する次世代の結晶候補であり、インテルなどのトランジスタにも部分的に利用されているが、高品質結晶が得られれば更なる高速化が期待される。現在、高品質SiGeの量産に成功している企業はなく、本研究の成果が結実すれば、電子デバイス産業の一翼を担うことができる。
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