| 研究課題/領域番号 |
15K04684
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| 研究種目 |
基盤研究(Ｃ)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
大垣 武 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点 電気・電子機能分野 電子セラミックスグループ, 主任研究員 (80408731)
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| 研究期間 (年度) |
2015-10-21 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2017年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 窒化スカンジウム / 薄膜 / 分子線エピタキシー / 電気特性 / 結晶構造 |
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| 研究成果の概要 |
高い電子移動度を有するScN薄膜のキャリア制御について検討した。
MBE法を用いて、ScN薄膜、MgドープScN薄膜をMgO単結晶、サファイア単結晶上に作製し、その構造、電気特性について評価した。サファイア基板上に高い結晶性をもったScN薄膜を成長させることに成功したが、それらはすべて、ScNの大きな非化学量論的組成に起因するn型の縮退半導体であった。
さらに、プラズマ照射装置を作製し、MBE法で作製したScN薄膜に、窒素プラズマ処理を施した。その結果、薄膜のキャリア濃度の減少と移動度の増加が確認され、窒素プラズマ処理が、ScNのキャリア制御に有効であることを明らかにした。
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