| 研究課題/領域番号 |
15K04687
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京大学 (2017)
公益財団法人神奈川科学技術アカデミー (2015-2016) |
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研究代表者 |
中尾 祥一郎 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 特任研究員 (50450771)
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| 研究協力者 |
福本 通孝 東京大学, 大学院理学系研究科, 大学院学生
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2017年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
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| キーワード | 酸化スズ / スパッタ / 透明導電膜 / 太陽電池 / テクスチャ構造 / スパッタ法 / 自己組織化 / ナノ粒子 / パルスレーザー堆積法 / 酸化チタン |
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| 研究成果の概要 |
赤外光対応太陽電池電極応用においても、透明電極のテクスチャ構造は重要である。今回、全く新しいテクスチャ構造作製方法を開発した。この手法はボトムアップで工業的なスケールアップの可能性を持つ。本手法ではまず前駆体Sn薄膜を作製し、還元雰囲気アニールによってSnナノ粒子に自己組織化させた後に酸化アニールによってSnO2ナノ粒子とする。最後に、その上に透明導電性の層を形成する。このようにして作製したTaドープSnO2薄膜は太陽電池応用に好ましい低いシート抵抗と高いヘイズ率を示した。
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