| 研究課題/領域番号 |
15K04717
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
プラズマエレクトロニクス
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
布村 正太 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (50415725)
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| 連携研究者 |
松原 浩司 産業技術総合研究所, 太陽光発電研究センター, 研究センター長 (90202324)
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| 研究協力者 |
坂田 功 産業技術総合研究所, 太陽光発電研究センター
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2017年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2016年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2015年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | プラズマ / 半導体 / 水素化アモルファスシリコン / 太陽電池 / 欠陥 / キャリア輸送 / ポンプ－プローブ法 / トラップ / プラズマ誘起欠陥 / プラズマプロセス / 光電流 / キャリア / ラジカル / プラズマエレクトロニクス / シリコン / アモルファスシリコン |
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| 研究成果の概要 |
半導体プロセス中のプラズマ誘起欠陥を光学的ポンプ－プローブ法を用いてその場検出する手法を開発した。本手法をプラズマ成膜(PECVD)中の水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)に適用し、プラズマ誘起欠陥が1e18 cm-3程度形成されることを見出した。プラズマ誘起欠陥は、プロセス後の適切な熱アニールにより修復することが可能であり、欠陥の修復を介してキャリア輸送が向上することを明らかにした。シリコンヘテロ接合太陽電池を試作し、本研究で得られた知見に基づきプロセス条件を見直し、光電変換効率21％を達成した。
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