| 研究課題/領域番号 |
15K04718
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物理学一般
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| 研究機関 | 岩手大学 |
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研究代表者 |
内藤 智之 岩手大学, 理工学部, 准教授 (40311683)
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| 研究分担者 |
藤代 博之 岩手大学, 理工学部, 教授 (90199315)
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| 連携研究者 |
仲村 高志 理化学研究所, 環境資源科学研究センター, 専任技師 (60321791)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2017年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2016年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2015年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 超伝導バルク磁石 / 磁束ピン止め / MgB2 |
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| 研究成果の概要 |
本研究は，高均一かつテスラ級磁場を発生可能なMgB2超伝導バルク磁石(疑似永久磁石)の開発を目的として実施し，以下の成果を得た。1)加圧機構を有する等方圧加圧焼結法や放電プラズマ焼結法に加えて，特別な加圧機構不要の浸透法でも充填率90%以上の緻密バルクを作製出来た。2)ボールミリングを用いた粒径制御により磁束ピン止めに最適な粒径を見出した。3)電子線後方散乱回折法など電子顕微鏡を用いた微細構造解析によりチタン族添加が磁束ピン止めを大きく向上させること，およびその起源を明らかにした。
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