| 研究課題/領域番号 |
15K04727
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物理学一般
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| 研究機関 | 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 |
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研究代表者 |
三好 敏喜 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 研究機関講師 (20470015)
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| 研究協力者 |
新井 康夫 高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 教授 (90167990)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2017年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2016年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2015年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 半導体 / SOI / X線 / 電子デバイス / CMOS / 半導体検出器 / イメージセンサ / X線検出器 |
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| 研究成果の概要 |
CMOS回路の性能を向上させる技術であるSOI(Silicon-on-insulator)技術を用いて、センサと回路が一体になったピクセル検出器を開発した。ピクセル回路には前段増幅回路が含まれている。開発上の問題となっている、センサと回路間のクロストーク低減のために、2重SOIウエハを使用した。2重SOIの上層を回路層とし、下層をシールド層とした。シールド層があることによって、前段増幅回路のゲイン低下を抑制することができた。このセンサではピクセル内２つの電荷保持領域を交互に切り替えて使うことができ、不感時間が短く、連続測定を必要とする応用研究に適用することができる。
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