| 研究課題/領域番号 |
15K04729
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物理学一般
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
笹嶋 尚彦 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 主任研究員 (70357127)
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| 研究分担者 |
山田 善郎 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 首席研究員 (60358265)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2017年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2016年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2015年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 温度測定 / 温度標準 / 放射温度計 / 共晶点 / 高温 / SiCウェハ / 高温測定 / 温度定点 / 共晶 / SiC半導体 / 高温計測 / SiC半導体ウェハ / 温度履歴 |
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| 研究成果の概要 |
金属－炭素共晶点技術を基にしたこれまでにない超高温温度履歴モニターを実現することを目的とし、白金を蒸着したグラファイト試料を作製して様々な温度で熱処理を行い、試料の表面及び断面の状態を精密評価することで、共晶点温度のみならず、共晶点以外の温度においても金属とグラファイトが溶融し、反応する現象を利用して到達温度の違いを定性的に判別できる技術を世界で初めて実証した。さらに、白金箔とグラファイト板を用いることで、共晶点温度を挟む±5 Kの到達温度の違いを簡便に判別する技術を実証した。試料表面の反射率変化を用いた到達温度判別の定量化にも取り組み、実用化の可能性を示した。
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