| 研究課題/領域番号 |
15K04734
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(Ｃ)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
量子ビーム科学
|
|---|
| 研究機関 | 東京理科大学 |
|---|
研究代表者 |
飯島 北斗 東京理科大学, 理学部第二部物理学科, 助教 (90361534)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2015-10-21 – 2018-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2017年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2016年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2015年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
|
|---|
| キーワード | 光陰極 / 高輝度電子ビーム / アルカリ－アンチモ / アルカリ－アンチモン / 機能性材料 / 高耐久化 / ヒ化ガリウム |
|---|
| 研究成果の概要 |
ヒ化ガリウム（GaAs）に代表されるⅢ－Ⅴ族半導体を利用したフォトカソードの長寿命化を実現させるためにセシウム―アンチモン（Cs-Sb）薄膜をフォトカソードの機能性保護膜とする研究を行った。保護膜の最適化をはかるためにカソード基板の熱処理温度と膜厚を探索した。結果、熱処理は酸化物脱離が観測される温度、また膜厚は1nmという比較的薄いものが機能性保護膜として最適である。このCs-Sb保護膜は薄くとも、化合物をなしており基板に対してはヘテロ接合され、表面ポテンシャルを低下させていることが分かった。
|
