| 研究課題/領域番号 |
15K05159
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
松井 朋裕 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 助教 (40466793)
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| 研究分担者 |
福山 寛 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 教授 (00181298)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2017年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2016年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | グラフェン / グラファイト / ジグザグ端状態 / スピン偏極ジグザグ端状態 / 走査トンネル顕微/分光法 / 電気伝導度測定 / 電気輸送特性 |
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| 研究成果の概要 |
水素プラズマを用いたエッチングによって、グラファイト表面やグラフェンに六角形ナノピットを自在に作成する技術を確立した。このときナノピットの端は原子スケールで清浄なジグザグ端であることも分かった。このジグザグ端を用いて、端に局在した状態とグラフェンに特有のゼロ指数ランダウ準位の関係を明らかにするとともに、ジグザグ端で挟まれたナノリボンでは端状態がスピン偏極することを明瞭に示すことに成功した。またジグザグ端ではバレー間散乱が抑制されるため、電気伝導度には不定形ナノピットを有するグラフェンに観測されるような弱局在効果が現れないことが分かった。
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