| 研究課題/領域番号 |
15K05173
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
世良 正文 広島大学, 先端物質科学研究科, 教授 (40196978)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2017年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2016年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2015年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 近藤半導体 / 反強磁性秩序 / スピンギャップ / 電荷ギャップ / ジグザグ鎖 / 低次元性 / スピン揺らぎ / 多極子秩序 / CeRu2Al10 / ２次元性 / CeT2Al10 |
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| 研究成果の概要 |
CeRu2Al10は反強磁性秩序を示す初めての近藤半導体であり異方的なc-f混成が異常な性質を引き起こしていると考えられる。 RuサイトをRhで置換するとわずかな置換量で遍歴性が失われ局在系へと変わるが，このときスピン・電荷ギャップがで調べた。これらのギャップが消失することをが明らかになった。またTNはあまり下がらず，高いTNとギャップとの関係は明らかにできなかった。価数揺動系であるCeFe2Al10に少量のRhをドープすると急速に局在系に代わることを明らかにした。
参照系であるHoR2Al10(R=Fe, Ru)を調べ，特異な磁気相図を明らかにし，分子場計算で特徴を再現することに成功した。
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