| 研究課題/領域番号 |
15K05667
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| 研究種目 |
基盤研究(Ｃ)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
デバイス関連化学
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| 研究機関 | 東京理科大学 |
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研究代表者 |
永田 肇 東京理科大学, 理工学部電気電子情報工学科, 教授 (70339117)
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| 研究期間 (年度) |
2015-10-21 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2017年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2016年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2015年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 非鉛圧電セラミックス / ビスマス系ペロブスカイト強誘電体セラミックス / 積層セラミックアクチュエータ / 拡散 / 銀電極 / 低温焼結 / Bi系ペロブスカイト型強誘電体 / 電極 / 反応 |
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| 研究成果の概要 |
本研究課題では、環境にやさしい非鉛圧電セラミックス(Bi1/2K1/2)TiO3 (BKT)や(Bi1/2Na1/2)TiO3 (BNT)に着目し、その実用化を指向して、銀(Aｇ)を含む電極材との積層化に関する課題に取り組んだ。その結果、AgのBi系セラミックス中への拡散挙動を明らかにするとともに、セラミックスの低温焼成化が求められることがわかった。また、本課題を通じて低温焼成するための添加物も明らかとなり、銀の拡散を抑制しつつ積層化する手法を見出すことができた。
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