| 研究課題/領域番号 |
15K05745
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 秋田県産業技術センター |
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研究代表者 |
赤上 陽一 秋田県産業技術センター, その他部局等, 所長 (00373217)
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| 研究分担者 |
中村 竜太 秋田県産業技術センター, 素形材プロセス開発部, 研究員 (00634213)
久住 孝幸 秋田県産業技術センター, 素形材プロセス開発部, 主任研究員 (40370233)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2017年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2016年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2015年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | 電界砥粒制御技術 / 電界撹拌技術 / 電界活性化技術 / スラリー / 基板研磨 / 電界活性化 / 砥粒 / ゼータ電位 / pH |
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| 研究成果の概要 |
シリコンウェーハなど半導体基板の仕上げ加工技術として CMP が多用され，とくに最終仕上げではコロイダルシ リカスラリーが主に使用される．本スラリーは，ナノレベルの粒子径をもつシリカ粒子を安定分散させたコロイド溶液 であり，使用条件によっては，凝集による研磨特性の低下を引き起こすことがある．そこで，コロイダルシリカスラリー を研磨領域に供給する前に電界を印加し，シリカ粒子の分散性を支配するゼータ電位の制御を試みた．その結果， 研磨効率を 11%向上させることに成功したのでその内容について報告する．
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