| 研究課題/領域番号 |
15K05954
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電力工学・電力変換・電気機器
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| 研究機関 | 東京理科大学 |
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研究代表者 |
吉田 孝博 東京理科大学, 工学部第二部電気工学科, 准教授 (10385544)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2017年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2016年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | 静電気放電 / ESD保護素子 / 回路シミュレーション / Sパラメータ / 回路シミュレータ / システムレベルESD |
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| 研究成果の概要 |
電子機器の開発期間の短縮やコスト削減のために、メーカの開発段階で、電子機器の静電気放電（ESD）による故障や誤動作への対策設計を支援するシミュレーション技術が求められている。
そのため本研究では、機器に実装された状態でのESD保護素子の現実的な保護特性のモデリングを実現するため、ESD保護素子の応答特性をベクトルネットワークアナライザ（VNA）で測定し高周波回路シミュレータ上に反映して、ESD印加時の電気的ストレスをシステムレベルでシミュレーションする手法を開発した。
さらに、モデリング精度を高めることで、同等の仕様を持つ異種のESD保護素子の特性の差異が表現できた。
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