| 研究課題/領域番号 |
15K05975
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 北見工業大学 |
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研究代表者 |
武山 眞弓 北見工業大学, 工学部, 准教授 (80236512)
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| 研究分担者 |
佐藤 勝 北見工業大学, 工学部, 助教 (10636682)
野矢 厚 北見工業大学, 工学部, 特任教授 (60133807)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2017年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2016年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2015年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 3次元集積回路 / 絶縁膜 / シリコン貫通ビア配線 / 低温作製 / バリヤレス / シリコン貫通ビア / バリア絶縁膜 / SiNx膜 / 表面・界面物性 / 拡散 |
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| 研究成果の概要 |
半導体分野では、従来のムーアの法則に則った微細化が困難になりつつあり、微細化に頼らない3次元集積回路にシフトし始めている。その実現にはチップあるいはウェハ間を最短で接続するシリコン貫通ビア配線(TSV)が欠かせない。
我々は、歩留まり良く3次元集積回路を実現するには、LSIを先に作製して、後からTSV配線にプロセスを行うビア・ラストプロセスが理想的であると考え、絶縁バリヤを200℃以下で成膜し、かつ低温でも良好な特性を示す優れたバリヤとして機能することを目的に検討を行った。その結果、拡散バリヤ材料を介在させない状態でも、Cuの拡散を抑制し、低温でも優れた絶縁バリヤを開発することに成功した。
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