| 研究課題/領域番号 |
15K05981
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 福井大学 |
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研究代表者 |
塩島 謙次 福井大学, 学術研究院工学系部門, 教授 (70432151)
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| 研究分担者 |
橋本 明弘 福井大学, 学術研究院工学系部門, 教授 (10251985)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2017年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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| キーワード | 金属ー半導体界面 / ワイドバンドギャップ半導体 / 2次元評価 / ショットキー接触 / 欠陥評価 / ショットキー電極 / GaN / SiC / 界面顕微光応答法 / IGZO |
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| 研究成果の概要 |
本研究では我々が独自に開発した２次元評価法（界面顕微光応答法）が、ワイドバンドギャップ半導体上に形成した電極の劣化機構の解明、欠陥評価に適応できることを実証した。GaN,及びIGZO上の電極の高電圧印加劣化、GaN、SiC表面のイオン注入、エッチング損傷、更にGaN,SiC基板上の大きな構造欠陥（クラック、ヒロック、ドメイン粒界）の評価において、本手法が高感度に2次元評価できることを明らかにした。
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