| 研究課題/領域番号 |
15K05982
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| 研究種目 |
基盤研究(Ｃ)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 信州大学 |
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研究代表者 |
栄岩 哲二 信州大学, 学術研究院工学系, 准教授 (60175528)
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| 研究期間 (年度) |
2015-10-21 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2017年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2016年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | メソポーラス薄膜 / 垂直配向 / 配向領域拡大 / 磁性金属充填 / 垂直配向メソ孔 / バイアス電圧依存性 / 規則化の向上 / 薄膜形成速度制御 |
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| 研究成果の概要 |
電気アシスト自己組織化成膜法の最適化により基板に垂直配向した六方晶メソポーラスシリカ薄膜を成膜し，メソ孔内部への磁性金属充填と磁性体のスピン依存トンネル伝導実現を目指した。陰極バイアス電場印加と低抵抗Si基板使用により，金属薄膜基板に比べ表面の定電流密度領域が拡大し，メソ孔規則配列領域を大幅に拡大した。電気アシストを定電流駆動化することで，更に規則配列の広範囲化を実現した。パルスめっきによるメソ孔内への磁性金属充填は実現出来ていない。これは，薄膜初期層の構造の乱れと薄膜の低付着力によりCoが界面を広げ，基板表面に堆積したものと考えられる。更なる初期層の規則化と付着力向上の検討が必要である。
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