| 研究課題/領域番号 |
15K05984
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪教育大学 |
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研究代表者 |
串田 一雅 大阪教育大学, 教育学部, 准教授 (80372639)
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| 研究分担者 |
栗山 一男 法政大学, 理工学部, 教授 (20125082)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2017年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2016年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2015年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
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| キーワード | メモリスタ材料 / リチウム化合物 / 電子状態 |
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| 研究成果の概要 |
本研究は、リチウムイオン２次電池の技術を応用し、リチウム３元化合物中のリチウムイオンの挿入・脱離による可逆的電子構造変化（価電子帯が金属的電子配置～半導体的電子配置に変化）に基づく電気抵抗の変化を制御することにより、メモリスタ効果の実現を目的とする。
特に、当該研究期間において、種々のリチウム３元化合物において漸次リチウムを脱離させた構造に対し、lapw+lo法（Wien2k）を用いて電子状態計算を行うとともに、電子輸送特性に関するシミュレーションを行った。その結果、種々の材料の中でも、Li2CN2はリチウムの挿入・脱離させた前後で電気抵抗が有意に変化することを明らかにした。
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