| 研究課題/領域番号 |
15K05986
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 和歌山大学 |
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研究代表者 |
田中 一郎 和歌山大学, システム工学部, 教授 (60294302)
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| 連携研究者 |
神谷 格 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (10374018)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2017年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2016年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | コロイダルナノドット / 半導体 / 配位子 / 薄膜 / トランジスタ / キャリア移動度 / 半導体コロイダルナノドット / 電界効果トランジスタ / 有機メモリトランジスタ |
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| 研究成果の概要 |
半導体コロイダルナノドット(CND)は溶媒分散性が高く低コストな溶液プロセスで半導体薄膜素子を作製できる可能性がある。しかし、一般に配位子の絶縁性が高く、そのままでは電子素子に使うことは難しい。そこで、導電性を向上させて薄膜トランジスタ(TFT)に応用する研究を行った。まず、電荷が流れやすい分子に配位子を交換する試みを行ったが、新規配位子の分散安定性が悪く期待した成果は得られなかった。次に、硫化アンモニウム処理により配位子を除去したCND薄膜を用いてTFTを作製した。初めはキャリア移動度が非常に低かったが、作製条件を改善することにより2桁向上し、0.0011cm2/Vsに達した。
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