| 研究課題/領域番号 |
15K05987
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 山口大学 |
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研究代表者 |
浅田 裕法 山口大学, 大学院創成科学研究科, 教授 (70201887)
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| 研究分担者 |
仙波 伸也 宇部工業高等専門学校, 電気工学科, 教授 (40342555)
岸本 堅剛 山口大学, 大学院創成科学研究科, 助教 (50234216)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2017年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2016年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2015年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 異常ネルンスト効果 / 強磁性半導体 / IV-VI族半導体 |
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| 研究成果の概要 |
強磁性半導体である(Ge,Mn)Teの異常ネルンスト効果について調べた。熱起電力の温度依存性の結果から、(Ge,Mn)Teにおいても結晶性が良好な試料において起電力の符号の反転がみられた。異常ホール効果により散乱機構を調べたところ (Ga,Mn)As同様、サイドジャンプ散乱が支配的であることがわかった。(Ge,Mn)Teは縮退半導体であることから金属を仮定した場合の異常ネルンスト電圧の式を導出し実験結果と比較したところ、熱起電力の温度依存性において定性的によい一致を得た。
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