| 研究課題/領域番号 |
15K05995
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京電機大学 (2017)
東京理科大学 (2015-2016) |
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研究代表者 |
藤川 紗千恵 東京電機大学, 工学部, 助教 (90550327)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2017年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2016年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2015年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | ナローバンドギャップ / 希薄窒化物半導体 / Ⅲ-Ⅴ族半導体 / 遠赤外 / MOCVD / InSbN / LED |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、Ⅲ-V半導体の中で最もエネルギーバンドギャップの小さいInSbに窒素を導入したInSbN希薄窒化物半導体を作製するために、有機金属気相成長法を用いて、GaAs（001）基板上InSbN膜を作製した。材料であるアンモニアの流量を変化させることにより、X線回折の2θ-ω測定において、スペクトルのシフトを確認し、格子定数が小さくなることを明らかにした。これらの結果等から、InSbN結晶を作製することが可能であることがわかり、アンモニア流量やSb流量の制御によりナローバンドギャップ化を達成できることがわかった。これらのことから、私たちは、遠赤外線デバイスを実現することが示唆できた。
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