| 研究課題/領域番号 |
15K05998
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 豊田工業大学 |
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研究代表者 |
小島 信晃 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (70281491)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2017年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2016年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2015年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 化合物半導体 / 層状化合物 / エピタキシャル成長 / 結晶成長 / 分子線エピタキシー / エピタキシャルリフトオフ / X線回折 / 結晶欠陥 / ラマン散乱分光 / 電子顕微鏡 / 電子線回折 |
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| 研究成果の概要 |
Si 基板上に高品質なGaAsを成膜するための新規III-VI族バッファ層として、層状In2Se3をGaAs(111)基板、およびSi(111)基板上で成膜した。微傾斜基板の使用により、双晶形成が抑制された。層状In2Se3上にGaAsを成膜し、エピタキシャル成長を確認したが、GaAsは島状成長し、双晶が発生した。さらに、層状In2Se3の劈開性を利用して、成膜したGaAs層の薄層剥離に成功した。
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