| 研究課題/領域番号 |
15K06002
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 茨城工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
原 嘉昭 茨城工業高等専門学校, 国際創造工学科, 准教授 (30331979)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2017年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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| キーワード | 鉄シリサイド / 近赤外発光 / オスミウムシリサイド / シリサイド / OsSi2 / 単結晶 / アーク溶解 |
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| 研究成果の概要 |
鉄シリサイド半導体の近赤外発光特性を向上させる研究を行った。鉄シリサイド半導体単結晶を大気中でアニールした結果，近赤外波長領域にいくつかの鋭い発光とブロードな発光を観測することに成功した。これらの発光のメカニズムは現在検討中である。
一方，オスミウムシリサイドとの混晶化を狙ったが上手く行かず，FeSi2とOsSi2の混合物となった。この試料のPL測定を行ったところ，100K以下の低温において1.5μm付近にピークをもつ極めてブロードなPL発光を観測した。この発光の強度は比較的強く，OsとFeの組成比によって多少ピーク値が変動する傾向を示しており，Osを添加したことに起因していると考えている。
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