| 研究課題/領域番号 |
15K06012
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 金沢大学 |
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研究代表者 |
丸山 武男 金沢大学, 電子情報学系, 准教授 (60345379)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2017年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2016年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2015年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 光集積回路 / 光検出器 / 光導波路 / シリコンフォトニクス / 超高速光検出器 / 光電子集積回路 |
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| 研究成果の概要 |
SOI-PIN光検出器を提案した。この素子は電極間隔、受光部面積、パッド面積を最適化することで、20 GHz超での動作が期待できる。ファウンドリーサービスを用いて光検出器を作製し、波長0.8 um帯における特性を評価した。電極間隔 0.6 um、受光部面積 20×20 um2、パッド面積30×30 um2の素子において、最大帯域13 GHzを得た。
また、Si/SiO2方向性結合器による導波路型偏波スプリッタを作製した。FDTD解析により、結合長の組み合わせを1:2とすることで実現し、ファウンドリーサービスを用いて作製した。偏波スプリッタとして動作し、消光比20dB以上を得た。
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